Intrinsically Exceptional Short-Circuit Robustness (tSC > 30 µs, ISC > 230 A) in Monolithic Bidirectional GaN-on-Si Power HEMTs

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标题	Intrinsically Exceptional Short-Circuit Robustness (tSC > 30 µs, ISC > 230 A) in Monolithic Bidirectional GaN-on-Si Power HEMTs
网址	https://iedm25.mapyourshow.com/8_0/sessions/session-details....
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	科研小白菜在 2026-01-16 15:53:38 发布自广东，悬赏 10 积分
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