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The Electrical Properties of Schottky Barrier Diode Structures Based on HVPE Grown Sn Dopped Ga2O3 Layers 基于HVPE生长Sn掺杂Ga2O3层的肖特基势垒二极管结构的电学性质
相关领域
材料科学
肖特基势垒
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期刊:Reviews on advanced materials and technologies 作者:A.Yu. Ivanov; А.В. Кремлева; Sh. Sh. Sharofidinov 出版日期:2022-03-31 |
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