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 Highly Selective SiGe Dry Etch Process for the Enablement of Stacked Nanosheet Gate-All-Around Transistors 高选择性SiGe干法刻蚀制备堆叠纳米片栅型晶体管
相关领域
纳米片
材料科学
光电子学
晶体管
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期刊：ECS Transactions 作者：Curtis Durfee; Subhadeep Kal; Shanti Pancharatnam; Maruf Bhuiyan; Ivo Otto IV; et al 出版日期：2021-10-01 |
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