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 Dependence of radiative efficiency and deep level defect incorporation on threading dislocation density for InGaN/GaN light emitting diodes InGaN/GaN发光二极管辐射效率和深能级缺陷掺入对穿线位错密度的依赖性
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Andrew Armstrong; T. A. Henry; Daniel Koleske; Mary H. Crawford; Karl Westlake; et al 出版日期：2012-10-15 |
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