| 标题 |
 A 1Tb 3b/Cell 8th-Generation 3D-NAND Flash Memory with 164MB/s Write Throughput and a 2.4Gb/s Interface 具有164MB/s写入吞吐量和2.4 Gb/s接口的1Tb 3b/单元第8代3D-NAND闪存
相关领域
计算机科学
与非门
晶体管
吞吐量
电子工程
闪存
抖动
电气工程
计算机硬件
逻辑门
电压
工程类
电信
算法
无线
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2022 IEEE International Solid- State Circuits Conference (ISSCC) 作者：Moosung Kim; Sung Won Yun; Jungjune Park; Hyunkook Park; Jungyu Lee; et al 出版日期：2022-02-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
蜉蝣
相约在天边
务实的眼睛
Shuo
GingerF
vizi
精明凡双
遇上就这样吧
dodo
3002
CAOHOU
Virtual
Yini
Wells
彩虹儿
不想干活
加菲丰丰
syvshc
风清扬
Alex
皖公网安备34019202002308
