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1.3 μm optically-pumped monolithic VCSEL based on GaAs with InGa(Al)As superlattice active region 以InGa(Al)为超晶格有源区的GaAs基1.3 μ m光泵浦单片VCSEL
相关领域
材料科学
光电子学
垂直腔面发射激光器
激光器
超晶格
波长
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光功率
光学
物理
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期刊:Laser Physics Letters 作者:N. V. Kryzhanovskaya; A. I. Likhachev; S. A. Blokhin; A. A. Blokhin; Evgeniy V Pirogov; et al 出版日期:2022-05-23 |
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