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 Quantitative photothermal investigation of nonradiative recombination parameters in GaAs/InAs(QD)/GaAs quantum dot structures using a three-layer laser beam deflection model 用三层激光束偏转模型定量光热研究GaAs/InAs（QD）/GaAs量子点结构中非辐射复合参数
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：S. Bouagila; S. Ilahi; M. Baïra; Andreas Mandelis; N. Yacoubi 出版日期：2024-10-28 |
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