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 A New Technique to Improve Breakdown Voltage of SOI LDMOSs: Multiple Diode Wells 提高SOI LDMOSs击穿电压的新技术：多二极管阱
相关领域
LDMOS
材料科学
电场
击穿电压
二极管
光电子学
绝缘体上的硅
电压
高压
晶体管
兴奋剂
PIN二极管
硅
电气工程
工程类
物理
量子力学
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期刊：Silicon 作者：Amir Gavoshani; Mostafa Dehghan; Ali A. Orouji 出版日期：2021-09-06 |
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