A New Technique to Improve Breakdown Voltage of SOI LDMOSs: Multiple Diode Wells

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标题	A New Technique to Improve Breakdown Voltage of SOI LDMOSs: Multiple Diode Wells 提高SOI LDMOSs击穿电压的新技术：多二极管阱相关领域 LDMOS 材料科学电场击穿电压二极管光电子学绝缘体上的硅电压高压晶体管兴奋剂 PIN二极管硅电气工程工程类物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1007/s12633-021-01354-3
DOI	10.1007/s12633-021-01354-3 doi
其它	期刊：Silicon 作者：Amir Gavoshani; Mostafa Dehghan; Ali A. Orouji 出版日期：2021-09-06
求助人	科研小白在 2025-08-30 19:57:34 发布自四川，悬赏 10 积分
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