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 Influence of temperature on the mechanism of carrier injection in light-emitting diodes based on InGaN/GaN multiple quantum wells 温度对InGaN/GaN多量子阱发光二极管载流子注入机制的影响
相关领域
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期刊：Semiconductors 作者：I. А. Prudaev; I. Yu. Golygin; S. B. Shirapov; I. S. Romanov; S. S. Khludkov; et al 出版日期：2013-10-01 |
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