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 Normally-off GaON/p-GaN gate HEMTs with selective plasma oxidation: from structural characterization, performance improvement to physical mechanism 选择性等离子体氧化常关GaON/p-GaN栅极HEMT：从结构表征、性能改善到物理机制
相关领域
机制（生物学）
表征（材料科学）
等离子体
光电子学
高电子迁移率晶体管
材料科学
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电压
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Nengtao Wu; Zhiheng Xing; Ling Luo; Guoqiang Li 出版日期：2024-03-07 |
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