Effect of hydrogen on the unintentional doping of 4H silicon carbide

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标题	Effect of hydrogen on the unintentional doping of 4H silicon carbide 氢对4H碳化硅无意掺杂的影响相关领域兴奋剂氢材料科学钝化费米能级碳化硅碳化物半导体硅宽禁带半导体分析化学（期刊）纳米技术光电子学化学冶金物理有机化学图层（电子）量子力学色谱法电子
网址	https://doi.org/10.1063/5.0108726
DOI	10.1063/5.0108726 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Yuanchao Huang; Rong Wang; Naifu Zhang; Yiqiang Zhang; Deren Yang; et al 出版日期：2022-10-21
求助人	花开富贵在 2025-04-17 10:56:43 发布自北京，悬赏 10 积分
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