MOS structure with as-deposited ALD Al2O3/4H-SiC heterostructure with high electrical performance: Investigation of the interfacial region

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标题	MOS structure with as-deposited ALD Al2O3/4H-SiC heterostructure with high electrical performance: Investigation of the interfacial region
网址	https://doi.org/10.1116/5.0202640
DOI	10.1116/5.0202640 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Yu-Xuan Zeng; Xi-Rui Wang; Ruo-Yun Yang; Wei Huang; Lei Yang; et al 出版日期：2024-08-23
求助人	11 在 2026-08-18 12:26:04 发布自江西，悬赏 10 积分
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