Strain Engineering in Si Split-Gate Trench Power MOSFETs by Partial Oxidation of Polysilicon Electrodes

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标题	Strain Engineering in Si Split-Gate Trench Power MOSFETs by Partial Oxidation of Polysilicon Electrodes
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3230917
DOI	10.1109/ted.2022.3230917 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Stefan Karner; M. Rösch; Germano Galasso; Seung Hwan Lee; Oliver Blank 出版日期：2023-01-23
求助人	Johnwick 在 2026-09-03 22:33:56 发布自福建，悬赏 10 积分
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