Investigating the impact of gate stacks on ALD IGZO transistors via source/drain contact characterization

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标题	Investigating the impact of gate stacks on ALD IGZO transistors via source/drain contact characterization
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0330688
DOI	10.1063/5.0330688 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Zhan-Yuan Huang; Zhi-Huai Liu; Zi-Ying Huang; Kuan Liang; Chao Xu; et al 出版日期：2026-06-08
求助人	我爱刘惜君在 2026-08-10 18:19:17 发布自安徽，悬赏 20 积分
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