| 标题 |
[求助补充材料]
 In-depth analysis on electrical parameters of floating gate IGZO synaptic transistor affecting pattern recognition accuracy 浮栅IGZO突触晶体管电参数对模式识别精度影响的深入分析
相关领域
材料科学
神经形态工程学
MNIST数据库
突触后电流
晶体管
电导
光电子学
长时程增强
脉搏（音乐）
突触
电容
计算机科学
人工神经网络
兴奋性突触后电位
电压
人工智能
神经科学
电气工程
抑制性突触后电位
物理
电极
工程类
受体
生物
化学
凝聚态物理
量子力学
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
斯寜
827584450
科研小民工
maox1aoxin
加菲丰丰
jyy
今天只做一件事
bc
月下独酌42
非而者厚
zho
Leon
典雅问寒
有人
iNk
赘婿
深情安青
CNAxiaozhu7
eee
皖公网安备34019202002308
