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 Characteristics of silicon nitride deposited by very high frequency (162 MHz)-plasma enhanced atomic layer deposition using bis(diethylamino)silane 相关领域
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期刊：Nanotechnology 作者：J Y Byun; You Jin Ji; K H Kim; K S Kim; Hyunwoo Tak; et al 出版日期：2020-09-17 |
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