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 Halogen-Induced s-Band Isolation in 2-D InSeX (X = Cl, Br) for Breaking the Boltzmann Limitation in MOSFETs 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yuanyuan Tai; Hengze Qu; Weicong Sun; Huipu Wang; Tong Xu; et al 出版日期：2026-01-01 |
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