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  The origins and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap GaN and AlGaN 相关领域
空位缺陷
材料科学
视频阵列图形
消灭
兴奋剂
带隙
宽禁带半导体
重组
光电子学
分析化学（期刊）
结晶学
化学
物理
CMOS芯片
生物化学
量子力学
基因
色谱法
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Shigefusa F. Chichibu; Akira Uedono; Kazunobu Kojima; Hirotaka Ikeda; K. Fujito; et al 出版日期：2018-03-14 |
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