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N-Polar GaN HEMTs in a High-Uniformity 100-mm Wafer Process With 43.6% Power-Added Efficiency and 2 W/mm at 94 GHz |
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期刊: 作者:Andrea Arias-Purdue; Petra Rowell; Casey M. King; Andrew D. Carter; A. Paniagua; et al 出版日期:2023-04-10 |
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