标题 |
Transistor Reliability Characterization for Advanced DRAM with HK+MG & EUV process technology
基于HK+MG和EUV工艺的先进DRAM晶体管可靠性表征
相关领域
德拉姆
可靠性(半导体)
计算机科学
晶体管
极紫外光刻
节点(物理)
电子工程
电气工程
可靠性工程
嵌入式系统
材料科学
工程类
计算机硬件
光电子学
电压
功率(物理)
物理
结构工程
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:N-H Lee; S. Lee; S-H Kim; G-J Kim; KW. Lee; et al 出版日期:2022-03-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|