| 标题 |
 Investigation of non-volatile and photoelectric storage characteristics for MoS2/h-BN/graphene heterojunction floating-gate transistor with the different tunneling layer thicknesses 不同隧道层厚度MoS2/h-BN/石墨烯异质结浮栅晶体管的非易失性和光电存储特性研究
相关领域
晶体管
材料科学
光电子学
异质结
石墨烯
光电效应
电压
纳米技术
电气工程
工程类
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| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Micro and nanostructures 作者：Wei Li; Tianhui Mu; Yuhua Chen; Mingjian Dai; Pengcheng Sun; et al 出版日期：2024-01-23 |
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