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 The correlation of the drain-source capacitance variation and the P-pillar structures in a 4H-SiC quasi super junction MOSFET 4H-SiC准超结MOSFET漏源电容变化与P柱结构的相关性
相关领域
MOSFET
材料科学
电容
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计算机科学
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Ruei-Ci Wu; Kung‐Yen Lee; Yu Wen; Pei‐Chun Liao 出版日期：2024-04-17 |
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