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标题
The Effects of Temperature on the Single-Event Transient Response of a High-Voltage (>30 V) Complementary SiGe-on-SOI Technology
温度对高压（>30 V）互补SiGe-on-SOI技术单事件瞬态响应的影响
相关领域
绝缘体上的硅 瞬态（计算机编程） 光电子学 材料科学 瞬态响应 电压 电气工程 事件（粒子物理） 高压 物理 硅 工程类 计算机科学 量子力学 操作系统
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2018.2886577
DOI
10.1109/tns.2018.2886577 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Anup P. Omprakash; Adrian Ildefonso; Zachary E. Fleetwood; George N. Tzintzarov; Adilson S. Cardoso; et al
出版日期：2018-12-13
求助人
李沐唅 在 2025-12-06 15:05:55 发布自贵州，悬赏 10 积分
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