Effect of temperature dependence of 2DEG on device characteristics of field‐plated recessed‐gate III‐nitride/β‐Ga2O3 nano‐HEMT

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标题	Effect of temperature dependence of 2DEG on device characteristics of field‐plated recessed‐gate III‐nitride/β‐Ga2O3 nano‐HEMT 相关领域氮化物材料科学纳米技术图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1002/jnm.3281
DOI	10.1002/jnm.3281 doi
其它	期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：G. Purnachandra Rao; Trupti Ranjan Lenka; Hieu Pham Trung Nguyen; Nour El I. Boukortt; Giovanni Crupi 出版日期：2024-07-01
求助人	langyu 在 2026-01-09 07:20:50 发布自福建，悬赏 10 积分
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