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 Demonstration of N-Polar GaN MIS-HEMT with High-k Atomic Layer Deposited HfO2 as Gate Dielectric 相关领域
高电子迁移率晶体管
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Subhajit Mohanty; Zhe Jian; Kamruzzaman Khan; Elaheh Ahmadi 出版日期：2023-01-25 |
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