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 Band alignment between amorphous Ge2Sb2Te5 and prevalent complementary-metal-oxide-semiconductor materials 非晶Ge2Sb2Te5与互补金属氧化物半导体材料的能带排列
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Lina Wei-Wei Fang; Ji-Sheng Pan; Rong Zhao; Luping Shi; Tow-Chong Chong; et al 出版日期：2008-01-24 |
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