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  Assessment of Linear, Hexagonal, and Octagonal Cell Topologies for 650 V 4H-SiC Inversion-Channel Planar-Gate Power JBSFETs Fabricated With 27 nm Gate Oxide Thickness 栅极氧化物厚度为27 nm的650 V 4H-SiC反相沟道平面栅极功率JBSFETs的线性、六边形和八边形单元拓扑评估
相关领域
材料科学
肖特基二极管
光电子学
拓扑（电路）
击穿电压
肖特基势垒
电气工程
栅氧化层
电压
二极管
晶体管
工程类
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