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 Effects of ion implantation process on defect distribution in SiC SJ-MOSFET 离子注入工艺对SiC SJ-MOSFET缺陷分布的影响
相关领域
离子注入
材料科学
阴极发光
光电子学
外延
MOSFET
离子
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发光
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Takuya Fukui; Tatsuya Ishii; Takeshi Tawara; Kensuke Takenaka; Masashi Kato 出版日期：2023-01-01 |
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