Morphological Instability of High Ge Percent SiGe Films Grown by Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition

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标题	Morphological Instability of High Ge Percent SiGe Films Grown by Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition
网址	https://doi.org/10.1149/ma2014-02/35/1824
DOI	10.1149/ma2014-02/35/1824 doi
其它	期刊：ECS Meeting Abstracts 作者：John Hart; Ramsey Hazbun; James Nakos; Dean Siegel; Chris Funch; et al 出版日期：2014
求助人	炙热冰蓝在 2026-04-11 17:28:27 发布自广东，悬赏 10 积分
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