High uniform N-type doping of 4H-SiC homoepitaxy based on a horizontal hot-wall reactor

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标题	High uniform N-type doping of 4H-SiC homoepitaxy based on a horizontal hot-wall reactor
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127877
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2024.127877 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Xiaoliang Gong; Ping Li; Tianle Xie; Fan Hu; Sai Ba; et al 出版日期：2024-09-04
求助人	青苹果蛋子在 2026-10-27 18:22:00 发布自吉林，悬赏 10 积分
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