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 Temperature-Dependent Current Dispersion Study inβ-Ga₂O₃ FETs Using Submicrosecond Pulsed I–V Characteristics 相关领域
材料科学
光电子学
色散（光学）
钝化
电流（流体）
蚀刻（微加工）
晶体管
制作
硅
时间常数
场效应晶体管
航程（航空）
反应离子刻蚀
MOSFET
逻辑门
高-κ电介质
电子
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离子
电流密度
离子注入
大气温度范围
电压
直流电
金属浇口
温度测量
脉冲功率
恒流
绝缘体上的硅
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Abhishek Vaidya; Uttam Singisetti 出版日期：2021-08-01 |
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