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Effect of the AlGaAs Seed Layer Composition on Antiphase Domains Formation in (Al)GaAs Structures Grown by Vapor-Phase Epitaxy on Ge/Si(100) Substrates
AlGaAs晶种成分对Ge/Si（100）衬底气相外延生长（Al）GaAs结构反相畴形成的影响
相关领域
材料科学 异质结 外延 气相 图层（电子） 相（物质） 光电子学 纳米技术 化学 热力学 物理 有机化学
网址
https://doi.org/10.1134/s1063785021040283
DOI
10.1134/s1063785021040283 doi
其它 期刊：Technical Physics Letters
作者：А. В. Рыков; R. N. Kryukov; I. V. Samartsev; P. A. Yunin; В. Г. Шенгуров; et al
出版日期：2021-05-01
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健忘叫兽 在 2025-08-27 10:36:40 发布，悬赏 10 积分
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