Good Charge Balanced Inverted Red InP/ZnSe/ZnS-Quantum Dot Light-Emitting Diode with New High Mobility and Deep HOMO Level Hole Transport Layer

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标题	Good Charge Balanced Inverted Red InP/ZnSe/ZnS-Quantum Dot Light-Emitting Diode with New High Mobility and Deep HOMO Level Hole Transport Layer 具有新型高迁移率和深HOMO能级空穴传输层的良好电荷平衡倒置红色InP/ZnSe/ZnS-量子点发光二极管
网址	https://doi.org/10.1021/acsenergylett.0c02193
DOI	10.1021/acsenergylett.0c02193 doi
其它	期刊：作者：无法获取出版日期：
求助人	温暖的沧海在 2025-08-23 21:43:06 发布自浙江，悬赏 10 积分
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