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 Performance improvement of SOI Tunnel-FET using pure boron and Ge pocket layer 使用纯硼和锗口袋层改善SOI隧道场效应晶体管的性能
相关领域
绝缘体上的硅
硼
材料科学
图层（电子）
光电子学
纳米技术
硅
化学
有机化学
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Karabi Baruah; Satyabrat Malla Bujar Baruah; Srimanta Baishya 出版日期：2024-05-17 |
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