| 标题 |
 Improved Threshold Voltage Stability and Gate Reliability in p‐GaN Gate High‐Electron‐Mobility Transistors with Hydrogen Plasma Treatment on the Sidewalls 氢等离子体处理提高p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的阈值电压稳定性和栅极可靠性
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
阈值电压
金属浇口
钝化
泄漏（经济）
晶体管
可靠性（半导体）
蚀刻（微加工）
电压
栅氧化层
电气工程
纳米技术
图层（电子）
功率（物理）
工程类
经济
宏观经济学
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Y. Zhang; Zhihua Dong; Guohao Yu; Yingfei Sun; Yu Li; et al 出版日期：2025-03-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
馨馨的科科
Nole
无极微光
cdercder
潇洒的惋清
xing_xing
huang
学术文献互助
XX
MozzieMiao
mLI
菜菜菜
狂野紫丝
DOC_XIONG
挖掘机
Dean
anugraphics
aaaa
apricity
郭梦
皖公网安备34019202002308
