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 Improved Threshold Voltage Stability and Gate Reliability in p‐GaN Gate High‐Electron‐Mobility Transistors with Hydrogen Plasma Treatment on the Sidewalls 氢等离子体处理提高p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的阈值电压稳定性和栅极可靠性
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
阈值电压
金属浇口
钝化
泄漏（经济）
晶体管
可靠性（半导体）
蚀刻（微加工）
电压
栅氧化层
电气工程
纳米技术
图层（电子）
功率（物理）
工程类
物理
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经济
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期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Y. Zhang; Zhihua Dong; Guohao Yu; Yingfei Sun; Yu Li; et al 出版日期：2025-03-08 |
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