Growth mechanism of α-Ga2O3 on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions

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标题	Growth mechanism of α-Ga2O3 on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions 相关领域镓化学气相沉积雾薄膜蓝宝石亚稳态外延沉积（地质）基质（水族馆）材料科学杂质二次离子质谱法化学金属有机气相外延分析化学（期刊）化学工程无机化学离子纳米技术图层（电子）光学冶金激光器沉积物有机化学气象学古生物学工程类地质学物理海洋学生物
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-abstract/117/5/052106/3...
DOI	10.1063/5.0014056 doi
求助人	fwb 在 2025-10-20 15:08:13 发布自湖北，悬赏 10 积分
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