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 Evolution between Volatile and Nonvolatile Resistive Switching Behaviors in Ag/TiOx/CeOy/F-Doped SnO2 Nanostructure-Based Memristor Devices for Information Processing Applications 信息处理用Ag/TiOx/CeOy/F掺杂SnO2纳米结构忆阻器中挥发和非挥发电阻开关行为的演变
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期刊：ACS applied nano materials 作者：Chuan Yang; Bai Sun; Guangdong Zhou; Hongbin Zhao; Shouhui Zhu; et al 出版日期：2023-05-15 |
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