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[高分]
 Simulation Study of Low Dimensional Effects in Pitch-Scaled (90 nm Technology Node) High Electron Mobility Transistors for Very Large Scale Integration Applications 用于超大规模集成应用的节距标度（90 nm技术节点）高电子迁移率晶体管中低维效应的模拟研究
相关领域
节点（物理）
晶体管
比例（比率）
电子
光电子学
材料科学
计算机科学
电气工程
物理
工程类
声学
量子力学
电压
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：U P Gomes; Kuldeep Takhar; Yogendra Yadav; Kumud Ranjan; Servin Rathi; et al 出版日期：2013-02-01 |
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