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  Effects of Cl+ and F+ implantation of oxidation-induced stacking faults in silicon Cl+和F+注入对硅中氧化诱导层错的影响
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Jun Xu; P.M. Bronsveld; G. Boom; J. Th. M. De Hosson 出版日期：1984-05-15 |
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