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 Field‐Effect Transistors: Monolayer Hexagonal Boron Nitride Films with Large Domain Size and Clean Interface for Enhancing the Mobility of Graphene‐Based Field‐Effect Transistors (Adv. Mater. 10/2014) 场效应晶体管：具有大畴尺寸和清洁界面的单层六方氮化硼薄膜，用于增强石墨烯基场效应晶体管的迁移率（Adv.Mater.10/2014）
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期刊：Advanced Materials 作者：Lifeng Wang; Bin Wu; Jisi Chen; Hongtao Liu; PingAn Hu; et al 出版日期：2014-03-01 |
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