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Lifetime tests of 600-V GaN-on-Si power switches and HEMTs 600V GaN-on-Si功率开关和HEMT的寿命测试
相关领域
平均故障间隔时间
可靠性(半导体)
可靠性工程
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电力电子
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期刊:Microelectronics Reliability 作者:Kurt V. Smith; J. Robert Haller; Josep M. Guerrero; R.P. Smith; R. Lal; et al 出版日期:2015-12-22 |
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