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  Polarity‐Controlled Volatile HfO 2 Memristors with Bimodal Conductance for Neuromorphic Synapses and Reservoir Computing 用于神经形态突触和储层计算的双峰电导极性控制挥发性HfO 2忆阻器
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期刊：Advanced Science 作者：Yuseong Jang; Chanmin Hwang; Myoungsu Chae; Taegi Kim; Hee‐Dong Kim 出版日期：2025-11-03 |
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