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Impact of unintentional Sb in the tensile InAs layer of strain-balanced type-II InAs/InAsSb superlattices grown on GaSb by molecular beam epitaxy 相关领域
超晶格
分子束外延
材料科学
光致发光
光电子学
极限抗拉强度
图层(电子)
外延
复合材料
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Marko S. Milosavljevic; Preston T. Webster; S. R. Johnson 出版日期:2023-08-01 |
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