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 A sub-threshold 10T FinFET SRAM cell design for low-power applications 面向低功耗应用的亚阈值10T FinFET SRAM单元设计
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期刊：AEU - International Journal of Electronics and Communications 作者：Amir Dolatshah; Erfan Abbasian; Maryam Nayeri; Sobhan Sofimowloodi 出版日期：2022-09-21 |
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