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Test Setup to Study Threshold Voltage Shift of GaN-HEMTs Under Short- and Long-Term Gate and Drain Bias 研究GaN-HEMT在短期和长期栅极和漏极偏压下阈值电压偏移的测试装置
相关领域
阈值电压
材料科学
光电子学
排水诱导屏障降低
氮化镓
电压
宽禁带半导体
期限(时间)
逻辑门
电气工程
晶体管
物理
工程类
纳米技术
量子力学
图层(电子)
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期刊:IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者:Benedikt Kohlhepp; Daniel Breidenstein; Thomas Dürbaum 出版日期:2024-09-20 |
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