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 Space–Charge Profiles and Carrier Transport Properties in Dopant‐Free GaN‐Based p‐n Junction Formed by Distributed Polarization Doping 分布极化掺杂无掺杂GaN基p-n结的空间电荷分布和载流子输运性质
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期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Takeru Kumabe; Seiya Kawasaki; Hirotaka Watanabe; Shugo Nitta; Yoshio Honda; et al 出版日期：2022-05-14 |
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