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 Novel Wideband Millimeter-Wave GaN Power Amplifier Design Using Transistors With Large Drain Capacitance and High Optimum Load Impedance 采用大漏极电容和高最佳负载阻抗晶体管的新型宽带毫米波GaN功率放大器设计
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期刊：IEEE Transactions on Circuits & Systems II Express Briefs 作者：Jie Shi; Xiaohu Fang; Hao Yu; Jiangwei Sui; Kwok‐Keung M. Cheng 出版日期：2023-07-03 |
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