(Invited) Trench-Gated MOSFET Instability Caused by High Temperature Reverse-Bias Stress

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标题	(Invited) Trench-Gated MOSFET Instability Caused by High Temperature Reverse-Bias Stress
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1149/07202.0199ecst
DOI	10.1149/07202.0199ecst doi
其它	期刊：ECS Transactions 作者：Jifa Hao 出版日期：2016-05-20
求助人	满意大门在 2026-01-30 15:06:20 发布自重庆，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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