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 SiC trench MOSFET with dual shield gate and optimized JFET layer for improved dynamic performance and safe operating area capability 相关领域
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期刊：Chinese Physics B 作者：Jin-Ping 金平 Zhang 张; Wei Chen; Zi-Xun 子珣 Chen 陈; Bo 波 Zhang 张 出版日期：2023-06-08 |
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