1200V SOI N-Channel LDMOS Adopting Partial Separation by Implantation of Oxygen

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标题	1200V SOI N-Channel LDMOS Adopting Partial Separation by Implantation of Oxygen
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11182601/11182701/111830...
DOI	10.1109/edssc64492.2025.11183010 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSS) 作者：Mingxin Sun; Chengwu Pan; Shipeng Chang; Siyang Liu; Weifeng Sun; et al 出版日期：2025-10-08
求助人	haha 在 2026-07-14 16:33:00 发布自浙江，悬赏 10 积分
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Society of Nuclear Medicine and Molecular Imaging

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